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BZX84C11W-7-F的图片

BZX84C11W-7-F

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 11V 200MW SOT323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,BZX84C11W-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZX84C11W-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统不稳定而烦恼?当精密电路需要一个可靠的电压基准时,BZX84C11W-7-F就是您值得信赖的守护者。这颗来自Diodes Incorporated的精密齐纳二极管,以其11V的精准稳压能力和±5%的严格容差,为您的电路板注入一剂强心针,确保关键节点电压坚如磐石,让您的产品在各种复杂工况下都能表现出色。

想象一下,在便携式消费电子、物联网传感器模块或车载娱乐系统的电源管理单元中,微小的电压漂移都可能导致性能下降甚至功能失效。BZX84C11W-7-F正是为此而生。它能在-65°C至125°C的宽温范围内稳定工作,其低至20欧姆的动态阻抗和仅100nA@8V的反向泄漏电流,意味着它能高效地钳位电压,同时自身功耗极低,完美适配对空间和能效都极为苛刻的现代电子设备。无论是为微控制器提供参考电压,还是在信号链中进行电平箝位,它都能让您的设计告别不确定性。

选择BZX84C11W-7-F,就是选择了一份从容与高效。其SOT-323超小型封装,让它在高密度的PCB布局中游刃有余,最大化节省您的板面空间。200mW的功率处理能力,在同类产品中表现出色,为您提供了充足的设计余量。更重要的是,当您通过可靠的DIODES一级代理渠道采购时,您获得的不仅仅是这颗高品质的芯片,更是从源头保障的供货稳定性和技术支持,让您的供应链和产品品质都无后顾之忧。它不仅仅是一个元件,更是您提升产品可靠性、简化设计复杂度、加速上市进程的战略伙伴。

  • 型号:BZX84C11W-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 11V 200MW SOT323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取BZX84C11W-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一颗可靠、精准的电压基准源而四处比对吗?让BZX84C11W-7-F来为您解决这个核心问题。这颗11V齐纳二极管,能以±5%的高精度,将电路中的关键点电压牢牢锁定,为您敏感的IC和电路模块提供一个坚不可摧的“电压锚点”。

它不仅仅提供稳定,更致力于高效。其极低的动态阻抗和反向泄漏电流,意味着它在执行稳压任务时自身损耗极小,让您的系统能效更高。从-65°C到125°C的宽广工作温度范围,配合SOT-323微型封装,让您能轻松将其部署在从工业控制到消费电子的各种紧凑、严苛的环境中,显著提升整体设计的鲁棒性和可靠性。

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