ZVN2110ASTZ

在追求极致能效的电子设计中，您是否还在为寻找一款兼具高可靠性、紧凑尺寸与出色性价比的功率开关解决方案而烦恼？今天，我们为您带来一个令人振奋的答案ZVN2110ASTZ。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的耐压能力和高达320mA的连续漏极电流，为您的小功率应用注入强劲而稳定的动力。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品性能、优化电路布局、降低整体成本的得力助手。

想象一下，在您的便携式设备、智能家居模块或工业传感器中，ZVN2110ASTZ正扮演着关键角色。它那仅4欧姆的低导通电阻（在10V驱动下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。无论是用于负载开关、电机驱动，还是信号切换与电平转换，这颗芯片都能以极高的效率精准执行指令。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在严苛环境下依然稳定可靠，从炎热的车间到寒冷的户外，表现始终如一。

选择ZVN2110ASTZ，就是选择了一份安心与远见。它采用经典的TO-92兼容E-Line封装，通孔安装方式成熟可靠，便于焊接和维修，极大简化了您的生产流程。更低的输入电容（仅75pF）带来了更快的开关速度，让您的系统响应更为迅捷。当您需要可靠的货源与专业的技术支持时，请务必通过官方DIODES授权代理进行采购，这不仅能保障您获得原装正品，还能享受到完整的供应链服务与专业的设计指导。让ZVN2110ASTZ成为您下一个成功产品的坚实基石，开启高效、可靠设计的新篇章。

• 型号:ZVN2110ASTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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您正在设计需要精密控制的小功率电路吗？ZVN2110ASTZ正是为您量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松胜任100V电压等级下的开关任务，提供高达320mA的驱动能力，让您高效管理各类负载。

它凭借仅需10V电压即可实现低至4欧姆的导通电阻，显著降低功率损耗，提升整体能效。同时，其快速的开关特性和宽达-55°C至150°C的工作温度范围，确保您的应用在各种环境下都能稳定、可靠地运行。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的核心动力。