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BZX84B3V0-7-F的图片

BZX84B3V0-7-F

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 3V 300MW SOT23
原厂封装:封装:SOT-23-3
优势价格,BZX84B3V0-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZX84B3V0-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而困扰?想象一下,只需一颗微小元件,就能为您的精密电路筑起一道可靠的防护墙这正是BZX84B3V0-7-F齐纳二极管带来的变革性价值。作为Diodes Incorporated精心打造的3V稳压解决方案,它不仅是电路中的守护者,更是提升产品可靠性的秘密武器。

当您面对空间受限的便携设备设计时,这颗采用SOT-23-3封装的微型元件展现出惊人优势。±2%的精密容差意味着即使在-65°C到150°C的严苛温度范围内,它依然能保持稳定的3V基准电压输出,让您的传感器模块、低功耗MCU供电电路始终工作在安全区间。95欧姆的最大动态阻抗确保了快速响应能力,当电路中出现瞬间浪涌时,它能像经验丰富的卫士般迅速动作,将电压牢牢钳位在设计范围内。

从智能穿戴设备的电源管理到工业控制板的参考电压源,从汽车电子模块到物联网终端节点,这款300mW功率的齐纳二极管正在无数应用场景中默默发挥着关键作用。特别值得一提的是,其10A@1V的超低反向泄漏特性,让它在电池供电设备中表现出色,有效延长设备续航时间。当您需要可靠的合作伙伴时,专业的DIODES代理商不仅能提供正品保障,更能为您提供完整的技术支持方案。

选择BZX84B3V0-7-F的理由远不止参数表上的数字。它代表着一种设计哲学:在最小空间内实现最大可靠性。表面贴装设计让自动化生产变得轻松高效,900mV@10mA的正向压降特性使其在双向保护电路中游刃有余。无论是新产品开发还是现有方案优化,这颗经过市场验证的齐纳二极管都能让您的设计更具竞争力因为它解决的不仅是技术问题,更是产品成功上市的时间与成本问题。

  • 型号:BZX84B3V0-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 3V 300MW SOT23
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3 V
  • 容差:±2%
  • 功率 - 最大值:300 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 A @ 1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 想获取BZX84B3V0-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一款能在有限空间内提供精准电压保护的解决方案?BZX84B3V0-7-F正是为您量身打造的答案!这颗3V齐纳二极管以±2%的高精度和300mW的稳健功率,让您的电路系统在面对电压波动时始终保持镇定自若。

它能在-65°C至150°C的极端温度范围内稳定工作,95欧姆的低动态阻抗确保快速响应,10A的超低反向泄漏电流则让电池供电设备续航更持久。采用SOT-23-3表面贴装封装,让您的生产线装配更高效,设计更紧凑。

无论是为微处理器提供基准电压,还是保护敏感IC免受浪涌损害,BZX84B3V0-7-F都能让您轻松构建更可靠、更耐用的电子产品,从根本上提升您的设计价值。

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