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BZT52C6V8-13-F的图片

BZT52C6V8-13-F

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123
原厂封装:封装:SOD-123
优势价格,BZT52C6V8-13-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZT52C6V8-13-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而担忧?当精密电路需要一个可靠的电压基准或保护屏障时,BZT52C6V8-13-F齐纳二极管就是您值得信赖的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的明星产品,以其精准的6.8V稳压能力和卓越的可靠性,正成为众多工程师在空间受限应用中的首选。它不仅是一个简单的元件,更是您产品稳定运行的守护者,能将不可预测的电压尖峰转化为平滑可靠的能量,确保核心电路在复杂环境中依然坚如磐石。

想象一下,在紧凑的智能穿戴设备内部,空间寸土寸金,每一毫瓦的功耗都至关重要。DIODES代理商广泛供应的BZT52C6V8-13-F,凭借其微小的SOD-123封装,能够轻松融入其中,为敏感的传感器或微处理器提供精准的电压箝位,防止过压损伤。同样,在车载电子模块、便携式医疗仪器或是工业控制板的电源管理部分,它都能默默值守,在-65°C到150°C的严苛温度范围内稳定工作,确保从冰天雪地到炎炎夏日,您的设备性能始终如一。它就像电路中的“定海神针”,无论外部供电如何起伏,都能在关键节点维持一个稳定的6.8V窗口。

选择BZT52C6V8-13-F,意味着您选择了一份经过市场验证的安心。其±6%的严格容差和仅15欧姆的最大动态阻抗,带来了出色的电压调节精度和响应速度。500mW的功率处理能力,足以应对大多数低功耗场景下的浪涌冲击。更值得一提的是,其极低的反向泄漏电流(仅2A @ 4V)和正向压降特性,有效提升了系统能效,减少了不必要的能量损耗。无论是用于电压基准、稳压还是瞬态抑制,这颗芯片都能以极高的性价比,简化您的设计,强化产品的耐用性。让BZT52C6V8-13-F成为您下一个项目的标准配置,体验由卓越元件带来的整体性能提升和无可挑剔的稳定性。

  • 型号:BZT52C6V8-13-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOD-123
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V
  • 容差:±6%
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 A @ 4 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOD-123
  • 供应商器件封装:SOD-123
  • 想获取BZT52C6V8-13-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一款小巧又可靠的6.8V稳压方案而烦恼吗?让BZT52C6V8-13-F来为您排忧解难!这颗高性能齐纳二极管的核心使命,就是在您的电路中建立一个坚固的“电压堤坝”。它能精准地将电压箝位在6.8V,有效吸收意外的电压浪涌和瞬态干扰,为后级敏感的IC、传感器或逻辑电路提供纯净、稳定的工作环境,从而大幅提升您整个电子系统的可靠性和抗干扰能力。

得益于其微型的SOD-123表面贴装封装和宽广的工作温度范围(-65°C ~ 150°C),它能轻松嵌入空间极度紧张的便携设备、汽车电子或工业模块中,适应各种恶劣环境。其优异的电气参数,如低至15欧姆的动态阻抗和微安级的反向泄漏电流,让您的设计不仅稳定,而且更加高效节能。选择它,就是为您的产品选择了一份经久耐用的品质保障。

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