DMN3030LSS-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能在紧凑空间内稳定输出高达9A电流，同时将导通电阻压至仅18毫欧的MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。这正是DMN3030LSS-13所带来的核心价值它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现高效可靠运行的强大引擎。

无论是需要快速响应的电机驱动，还是对效率极为敏感的DC-DC转换器，亦或是空间受限的便携式设备中的负载开关，DMN3030LSS-13都能游刃有余。其30V的漏源电压和宽泛的-55°C至150°C工作温度范围，赋予了它应对各种严苛环境的坚韧体魄。当您的设计面临高电流、高频率切换的挑战时，其极低的栅极电荷（仅25nC）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让系统整体效率跃升到一个新台阶，热量自然大幅降低，可靠性显著增强。

选择DMN3030LSS-13，就是选择了一种经过市场验证的卓越与稳定。它源自Diodes Incorporated的先进MOSFET技术，在2.1V的低阈值电压下即可高效开启，兼容多种逻辑电平，让您的电路设计更加灵活简便。其采用行业标准的8-SOP表面贴装封装，不仅节省宝贵的PCB空间，也完全适配自动化生产流程，助力您加速产品上市。当您寻求这样一款性能与可靠性兼备的解决方案时，与值得信赖的DIODES一级代理合作，将是确保您获得正品货源、专业技术支持以及稳定供应链的最佳途径。让DMN3030LSS-13成为您下一个成功产品的“心脏”，驱动无限可能。

• 型号:DMN3030LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:741 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154
• 想获取DMN3030LSS-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一颗既能承载大电流又兼顾高效与紧凑的MOSFET而烦恼吗？DMN3030LSS-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和高达9A的连续漏极电流能力，其核心魅力在于极低的18毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗和发热，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它采用易于焊接的8-SOP表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间。更令人惊喜的是，仅需4.5V的驱动电压即可实现低导通电阻，并具备快速的开关特性（栅极电荷仅25nC），让您轻松实现高效率、高频率的电路设计。无论是提升现有产品性能，还是开发新一代紧凑型设备，DMN3030LSS-13都是您值得信赖的伙伴。