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BZT52C4V3LP-7的图片

BZT52C4V3LP-7

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 4.3V 250MW 2DFN
原厂封装:封装:X1-DFN1006-2
优势价格,BZT52C4V3LP-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZT52C4V3LP-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致紧凑与可靠性的电子设计中,您是否曾为寻找一颗既能精准稳压、又能节省宝贵PCB空间的齐纳二极管而烦恼?今天,我们为您带来的BZT52C4V3LP-7,正是为破解这一难题而生。它不仅仅是一个4.3V的稳压元件,更是Diodes Incorporated匠心打造的微型化解决方案,以其卓越的稳定性和微小的0402封装,为您的产品注入高可靠性的核心动力。

想象一下,在您的手持设备、可穿戴电子产品或精密的物联网传感器模块中,空间是何等金贵。BZT52C4V3LP-7的登场,让这一切变得游刃有余。它能在-65°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作,确保您的设备无论身处冰天雪地还是炎热环境,其关键电路的电压基准都坚如磐石。高达250mW的功率处理能力,配合仅90欧姆的最大动态阻抗,意味着它在提供精准4.3V±7%稳压的同时,自身功耗极低,能效表现优异,直接助力延长终端产品的续航时间。

选择BZT52C4V3LP-7,就是选择了一份对品质和稳定性的承诺。它适用于电压钳位、基准电压源以及各类需要过压保护的场景,是消费电子、通信模块、便携式医疗设备等领域的理想卫士。其表面贴装设计和微小的体积,能完美融入高密度电路板布局,让您的设计更自由、更优雅。当您需要可靠、高效的齐纳二极管解决方案时,通过专业的DIODES中国代理获取BZT52C4V3LP-7,无疑是确保供应链稳定与产品一致性的明智之举。让这颗小巧而强大的芯片,成为您下一个成功设计中不可或缺的稳压基石。

  • 型号:BZT52C4V3LP-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X1-DFN1006-2
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 4.3V 250MW 2DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3 V
  • 容差:±7%
  • 功率 - 最大值:250 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0402(1006 公制)
  • 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
  • 想获取BZT52C4V3LP-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一颗能精准“锁定”电压,同时为紧凑设计让路的稳压芯片?BZT52C4V3LP-7正是您的理想答案。这颗来自Diodes Incorporated的齐纳二极管,核心使命就是为您提供稳定可靠的4.3V基准电压,其±7%的精度和仅90欧姆的动态阻抗,确保在复杂电路环境中也能高效工作,让您的电源设计更纯净、更稳定。

它能让您轻松应对空间挑战。采用微型的0402表面贴装封装,它几乎不占用PCB板的宝贵面积,非常适合集成到手机、TWS耳机、智能手表等对体积极其敏感的设备中。同时,它拥有宽广的-65°C至150°C工作温度范围和250mW的功率处理能力,让您的产品在各种严苛环境下都保持高性能与高可靠性,助您打造出更耐用、更值得信赖的电子产品。

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