SBR30100CT

在追求极致能效的今天，您是否还在为传统肖特基二极管在高压下的高损耗和温升问题而烦恼？是时候拥抱革新了。我们隆重推出SBR30100CT，一款基于革命性超级势垒整流器（SBR）技术的双二极管阵列，它将为您的高压、大电流应用带来前所未有的效率飞跃和可靠性保障。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或新能源车载充电器中，SBR30100CT正以其高达100V的反向耐压和每二极管15A的平均整流电流，稳健地处理着能量流。其核心魅力在于那惊人的低正向压降在15A满载条件下，Vf低至仅850mV。这意味着什么？更少的能量以热量的形式被浪费，更高的系统整体效率，以及更凉爽、更紧凑的设计成为可能。无论是应对数据中心PFC电路的严苛要求，还是满足电动汽车充电桩对功率密度和散热的高标准，这颗芯片都能游刃有余。

选择SBR30100CT，就是选择了一份安心与高效。其1对共阴极的配置简化了电路布局，节省了宝贵的PCB空间。宽广的结温工作范围（-65°C至175°C）确保了它在极端环境下依然稳定可靠，大幅提升了产品的耐用性和生命周期。更重要的是，通过我们专业的DIODES代理商网络，您不仅能获得原厂正品保障和具有竞争力的价格，还能享受到及时的技术支持和供货服务，让您的产品从设计到量产一路畅通。别再让低效的整流方案拖累您的创新步伐，立即采用SBR30100CT，为您的下一个功率设计注入强劲而高效的芯动力。

• 型号:SBR30100CT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY SBR 100V 15A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:100 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:15A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 15 A
• 速度:标准恢复 \>500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 100 V
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220-3
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还在寻找一款能同时兼顾高效率、高可靠性和易用性的高压整流解决方案吗？SBR30100CT正是您期待的答案。它采用先进的SBR技术，旨在100V、15A的应用中显著降低导通损耗，其850mV@15A的超低正向压降能让您的系统运行更凉爽，能效表现脱颖而出。

这颗芯片能为您做什么？它集成了两个共阴极的超级势垒整流器，让您轻松实现紧凑的桥式或续流电路设计。宽广的-65°C至175°C工作结温范围，确保您的产品即使在严苛环境中也能稳定运行。选择SBR30100CT，就是选择用一颗高集成度、高性能的芯片，简化设计复杂度，提升终端产品的功率密度和市场竞争力。