BSS138TA

在追求极致能效的电子设计世界里，您是否还在为寻找一款能在微小空间内实现高效信号切换与负载控制的解决方案而烦恼？今天，我们为您带来一个微小身躯蕴含巨大能量的答案BSS138TA。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其50V的耐压能力和200mA的连续漏极电流，在SOT-23-3的微型封装内，为您提供了卓越的开关性能与可靠性，是空间受限应用的理想选择。

想象一下，在您的便携式设备、IoT传感器模块或智能穿戴产品中，BSS138TA正悄然发挥着关键作用。它能够轻松胜任信号电平转换、负载开关、电源路径管理等任务。其低至1.5V的栅极阈值电压，意味着它能够被微控制器等低电压逻辑轻松驱动，让您的系统设计更加灵活高效。无论是管理电池供电设备的功耗，还是在复杂的模拟数字混合电路中实现精准隔离，这颗芯片都能以极低的导通电阻（典型值）和快速的开关速度，确保信号的完整性与系统的响应速度。

选择BSS138TA，就是选择了一份经市场验证的稳定与高效。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种严苛环境下都能稳定运行。更重要的是，通过我们值得信赖的DIODES一级代理，您不仅能获得原厂正品保障和具有竞争力的价格，更能享受到专业的技术支持、充足的库存供应以及高效的物流服务。我们理解每一款成功产品背后，都需要像BSS138TA这样可靠的基础元件作为支撑，而我们的使命就是为您提供这种坚实的支撑，让您的创新之路更加顺畅。

• 型号:BSS138TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取BSS138TA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在设计需要精密控制的小功率电路吗？BSS138TA正是为您量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松担当起信号开关和负载控制的核心角色，其10V驱动电压下优异的导通特性，让您能以极低的损耗实现高效的能量路径管理。

它能让您的微控制器或逻辑芯片轻松驱动后续电路，实现电平转换和模块间隔离。封装在微小的SOT-23-3里，它为您节省宝贵的PCB空间，同时凭借50V的漏源电压和200mA的连续电流能力，为您的便携设备、传感器接口等应用提供稳定可靠的表现。