ZVNL120CSTOB

当您需要在小功率应用中实现精准、可靠的开关控制时，是否曾为寻找一款兼具高性能与高性价比的解决方案而困扰？现在，答案就在眼前。我们隆重推出ZVNL120CSTOB，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为满足您的严苛需求而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品稳定性和效率的关键一步。

想象一下，在您的智能家居传感器、低功耗电源模块或精密控制电路中，一颗小巧的芯片正默默承担着高效开关的重任。ZVNL120CSTOB凭借其200V的高耐压能力和180mA的连续漏极电流，为这些应用场景提供了坚实的保障。其极低的驱动电压要求（最低3V即可开启）意味着它能轻松与微控制器等低压逻辑电路协同工作，让您的系统设计更加简洁、功耗更低。无论是需要稳定隔离的接口电路，还是对空间和成本都极为敏感的小型化设备，它都能完美融入，成为电路中那个值得信赖的“守门员”。

选择ZVNL120CSTOB，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与卓越的价值。它采用经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，不仅便于手工焊接和测试，也为现有基于TO-92封装的设计提供了平滑的升级或替换路径。尽管该型号已处于停产状态，但通过正规的DIODES授权代理渠道，您依然可以获取到高质量的库存，确保项目供应链的稳定与安全。这颗芯片所代表的，是Diodes一贯的工艺品质，它以紧凑的体积和出色的电气特性，帮助您优化BOM成本，同时毫不妥协地保障最终产品的性能。让它为您的下一个设计注入活力与可靠性吧！

• 制造商产品型号：ZVNL120CSTOB
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：200V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：180mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：3V，5V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 欧姆 @ 250mA，5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：85pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
• 工作温度：-
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
• 想获取ZVNL120CSTOB的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为小功率开关电路的选择而犹豫吗？让ZVNL120CSTOB来为您分忧！这颗N沟道MOSFET是您实现高效、紧凑电路设计的得力助手。它能轻松处理高达200V的电压和180mA的电流，并以最低仅需3V的驱动电压快速响应，让您的控制逻辑直接、高效地驱动功率回路。

它采用经典的TO-92兼容封装，便于您进行焊接和布局。无论是用于信号切换、负载驱动还是电源管理模块，ZVNL120CSTOB都能以稳定的性能和经济的成本，助您轻松提升产品的整体可靠性与市场竞争力。