BSS123-7-F

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款体积小巧、性能可靠且成本可控的开关解决方案而烦恼？今天，我们为您带来一个令人振奋的答案BSS123-7-F。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的耐压能力和170mA的连续漏极电流，正成为众多工程师在紧凑空间内实现高效功率控制的秘密武器。它不仅仅是一个晶体管，更是您产品提升可靠性、简化设计流程的关键一步。

想象一下，在您的便携式设备、电池管理系统或智能家居模块中，需要一颗能够精准控制小功率负载通断的“开关”。BSS123-7-F正是为此而生。其SOT-23-3的超小型封装，让它在寸土寸金的PCB板上游刃有余，轻松集成到空间受限的设计中。无论是用于电源路径管理、信号切换，还是作为负载开关驱动小型继电器、LED灯组，它都能以极低的导通电阻（典型值6欧姆@10V驱动）确保能量高效传输，最大限度减少损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

选择BSS123-7-F，意味着您选择了一份经得起考验的稳定性。它支持高达±20V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全余量；其工作温度范围跨越-55°C至150°C，从容应对严苛的环境挑战。这意味着从消费电子到工业控制的各种应用场景，它都能稳定服役，显著降低您的现场故障率。当您需要可靠、高效的半导体解决方案时，通过专业的DIODES代理进行采购，不仅能确保获得原装正品，还能获得及时的技术支持与供应保障，让您的项目从设计到量产一路畅通。

• 型号:BSS123-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为复杂的电路开关设计头疼？让BSS123-7-F来为您化繁为简！这颗小巧强大的N沟道MOSFET，是您实现高效、精准小功率控制的得力助手。它能轻松担当起电路中的“智能开关”角色，以100V的耐压和170mA的电流处理能力，可靠地导通或关断您的负载。

得益于仅6欧姆的优异导通电阻和SOT-23-3微型封装，它能让您的设计在高效节能的同时，极大节省宝贵的电路板空间。无论是用于电源管理、信号路径选择还是驱动外围器件，它都能让您的系统运行更稳定、响应更迅速，助您轻松打造出更具市场竞争力的产品。