BS250P

在追求极致能效与可靠性的电子设计领域，您是否还在为寻找一款性能稳定、成本可控的P沟道MOSFET而反复权衡？今天，我们为您带来一个令人振奋的答案BS250P。这款来自Diodes Incorporated的经典之作，以其45V的耐压能力和230mA的连续漏极电流，在众多应用中展现出卓越的开关控制与信号调理能力，是工程师实现高效电源管理和电路保护的理想选择。

想象一下，在您的便携式设备、消费电子或工业控制模块中，BS250P正扮演着关键角色。它能够轻松胜任负载开关、电平转换、电源路径管理等任务，其P通道特性使得在负逻辑或高侧开关配置中尤为便捷。无论是需要精密控制的小功率电机驱动，还是对信号完整性要求严苛的模拟开关电路，BS250P都能凭借其低至14欧姆的导通电阻和高达700mW的功率耗散能力，确保系统运行既高效又稳定，大幅延长终端产品的使用寿命。

选择BS250P，意味着您选择了一份经过市场长期验证的可靠性。其经典的TO-92兼容封装（E-Line）不仅便于手工焊接和自动化生产，更提供了出色的热性能和机械强度。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）让它能从容应对严寒酷暑或高发热的内部环境，确保您的设计在各种极端条件下依然坚如磐石。更重要的是，通过值得信赖的DIODES代理渠道，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，还能享受到专业的技术支持与稳定的供货服务，让您的项目从研发到量产全程无忧。这不仅仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的强大助力。

• 型号:BS250P
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 45V 230MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:45 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• 想获取BS250P的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路中的高效开关与信号控制寻找可靠的核心？BS250P正是您期待的解决方案。这颗P沟道MOSFET能为您轻松实现负载的精准通断、电源路径的智能管理以及逻辑电平的灵活转换，让您的设计在45V电压和230mA电流范围内游刃有余。

它采用经典的TO-92兼容封装，易于集成和焊接。其优异的电气特性，如低导通电阻和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保您的应用无论是在消费电子还是工业控制场景中，都能获得高效、稳定且持久的表现。选择BS250P，就是为您的产品选择了一份简单而强大的可靠性。