BS170FTA

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界中，您是否还在为寻找一款性能可靠、体积小巧的开关解决方案而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的答案BS170FTA。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其60V的耐压能力和仅为0.15mA的连续漏极电流，在微功耗领域树立了新的标杆。它不仅仅是一个晶体管，更是您实现高效能量控制、延长设备续航的得力助手。

想象一下，在您的便携式医疗设备、智能穿戴传感器或低功耗物联网模块中，BS170FTA正悄然发挥着关键作用。它能在10V驱动电压下，以仅5欧姆的超低导通电阻，精准而高效地控制电路的通断，将每一份电能都用在刀刃上。其SOT-23-3的超小型封装，完美适应了现代电子产品对空间近乎苛刻的要求，让您的PCB布局更加游刃有余，为产品增添更多功能或进一步缩小体积提供了可能。无论是电池管理、负载开关还是信号切换，它都能轻松胜任，确保系统在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定运行。

选择BS170FTA，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与卓越的性价比。它继承了Diodes产品一贯的高品质基因，330mW的功率耗散能力确保了其在长时间工作中的耐久性。当您需要稳定可靠的供应链与专业的技术支持时，我们的DIODES代理团队随时准备为您服务，从选型到量产，全程护航。让这颗小巧却强大的芯片，成为您下一个创新项目中最值得信赖的基石，助力您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得先机。

• 型号:BS170FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为电路中的微型开关选型犹豫不决吗？让BS170FTA来为您解决难题！这颗由Diodes Incorporated出品的N沟道MOSFET，专为高效、低功耗的开关应用而生。它拥有60V的漏源电压和仅0.15mA的连续漏极电流，配合10V驱动电压下低至5欧姆的导通电阻，能让您轻松实现精准的电路控制与高效的能量管理。

采用超紧凑的SOT-23-3表面贴装封装，它能极大地节省您的PCB空间，非常适合集成到便携设备、传感器模块或各类消费电子中。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和可靠的性能，确保了您的产品在各种环境下都能稳定运行。选择它，就是为您的设计注入一份高效与安心的保障。