DMP21D6UFB4-7B

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的下一个便携式设备或IoT模块是否还在为寻找一颗既能高效开关、又能节省宝贵空间的P沟道MOSFET而烦恼？答案就在这里DMP21D6UFB4-7B，这颗来自Diodes Incorporated的微型功率开关，正以其卓越的性能重新定义小尺寸器件的可能性。

想象一下，在您精巧的TWS耳机、智能手表或便携医疗设备中，需要一颗可靠的“电力守门员”来管理电源路径、实现负载开关或进行信号切换。DMP21D6UFB4-7B正是为此而生。它拥有20V的漏源电压和580mA的连续漏极电流，足以轻松应对各类低压电池供电场景。更令人惊喜的是，它在仅1.8V的低驱动电压下就能展现出优异的导通特性，这意味着即使在电池电量较低时，它依然能保持高效运作，显著延长设备的续航时间。其超低的1欧姆导通电阻（在4.5V Vgs，100mA条件下）确保了功率损耗被降至最低，电能更多地转化为设备功能，而非无谓的热量。

这颗芯片的价值远不止于参数表。它将高性能封装在了一个几乎微不足道的X2-DFN1006-3封装内，面积比一粒芝麻还小，为您的PCB布局提供了前所未有的自由度，让您能在方寸之间集成更多功能。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它应对严苛环境挑战的坚韧品质，无论是炎夏户外还是寒冬室内，都能稳定如一。选择DMP21D6UFB4-7B，就是选择了一种更智能的设计哲学它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现差异化设计的关键伙伴。当您需要可靠、高效且易于采购的半导体解决方案时，我们的DIODES中国代理团队随时准备为您提供从选型到供应的全方位支持，助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。

• 型号:DMP21D6UFB4-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 580MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):580mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.8 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:46.1 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:510mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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还在为空间有限的电路板寻找一颗性能不打折的功率开关吗？DMP21D6UFB4-7B正是您的理想之选。这颗P沟道MOSFET能为您高效管理20V、580mA以内的功率路径，其低至1.8V的驱动电压让您即使在电池供电设备中也能实现轻松、可靠的开关控制。

它凭借仅1欧姆的导通电阻和极低的栅极电荷，大幅降低了开关损耗和驱动需求，让您的系统运行更凉爽、能效更高。超小的DFN封装为您节省了宝贵的PCB空间，而宽广的工作温度范围则确保了在各种环境下的稳定表现。选择它，就是为您的便携式电子产品注入一颗强劲而精致的心脏。