BS107PSTOB

在追求极致能效与稳定性的电子设计领域，您是否还在为高压小信号开关的选型而反复权衡？今天，我们为您带来一个经过市场长期验证的经典答案BS107PSTOB。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其200V的耐压能力和120mA的连续漏极电流，在众多需要可靠高压控制的场景中，始终扮演着默默守护的关键角色。它不仅仅是一个元件，更是您电路设计中稳定与效率的基石。

想象一下，在您的智能家居控制板、工业传感器模块或是低功耗电源的隔离电路中，BS107PSTOB能够轻松胜任信号切换、负载驱动与电平转换的任务。其经典的E-Line（TO-92兼容）封装，让它在空间有限的板卡上也能游刃有余，无论是新设计还是对旧有方案的直接替换，都提供了极大的便利。高达150°C的结温工作范围，意味着即使在严苛的环境下，它也能保持稳定输出，让您的产品无惧挑战。

选择BS107PSTOB，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性。虽然它已处于停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用基础，使其成为库存解决方案和特定延续性项目的明智之选。其2.6V至5V的低驱动电压特性，让它可以被微控制器轻松驱动，极大简化了您的驱动电路设计。当您需要为经典设计寻找一个值得信赖的“心脏”时，联系专业的DIODES代理商，获取这颗芯片的库存或替代建议，无疑是确保项目顺利推进、产品性能如一的关键一步。让BS107PSTOP的稳定基因，延续到您下一个成功产品之中。

• 型号:BS107PSTOB
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.6V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• 想获取BS107PSTOB的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能轻松驾驭高压小信号开关任务的“得力干将”吗？BS107PSTOB正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有200V的高耐压和120mA的连续电流能力，专为需要可靠信号切换与控制的场景设计。它能让您的微控制器以极低的驱动电压（仅需2.6V-5V）高效控制高压侧电路，简化设计，提升整体系统的可靠性。

采用经典的TO-92兼容封装，它让您的PCB布局更加灵活紧凑。无论是用于电源管理、传感器接口还是负载驱动，BS107PSTOB都能以稳定的表现，确保您的电路在各种环境下（工作温度范围-55°C至150°C）持续高效运行。选择它，就是为您的设计注入一份经典而稳健的力量。