BS107PSTOA

在追求极致能效与稳定性的电子设计领域，您是否还在为寻找一款性能可靠、成本可控的高压开关解决方案而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您隆重介绍BS107PSTOA，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其200V的耐压能力和精妙的E-Line封装，正悄然成为众多工程师在高压低电流应用中的秘密武器。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品可靠性、简化设计流程的关键一步。

想象一下，在那些需要稳定控制高压信号的场景中，比如智能家居中的继电器驱动、工业传感器模块的电源切换，或是消费电子中精细的功率管理单元。BS107PSTOA能够轻松胜任。它120mA的连续漏极电流和低至2.6V的驱动电压门槛，意味着您可以用更简单的电路、更低的控制功耗来实现高效开关，让您的终端设备运行得更安静、更持久。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）更是为产品适应各种苛刻环境提供了坚实保障，无论是严寒还是酷热，性能始终如一。

选择BS107PSTOA，就是选择了一份经过市场验证的成熟与可靠。尽管该型号已处于停产状态，但其经典的设计和卓越的性能使其在特定应用和库存市场中依然保有旺盛的生命力。对于寻求稳定供应与经典解决方案的您而言，通过值得信赖的DIODES代理渠道，依然可以获取这颗品质芯片，为您的现有产品维护或经典设计延续提供有力支持。它采用的TO-92兼容封装（E-Line），让原型制作和生产组装都变得异常简便，极大降低了您的整体开发和制造成本。让BS107PSTOA成为您设计中那个默默奉献、却至关重要的可靠伙伴，共同创造更高效、更稳定的电子世界。

• 型号:BS107PSTOA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.6V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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您正在寻找一颗能轻松驾驭200V高压开关任务，同时保持电路简洁、成本优化的核心元件吗？BS107PSTOA正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有120mA的连续漏极电流，其低至2.6V的驱动电压让您能够用微控制器或逻辑电平信号直接、高效地控制它，极大地简化了您的驱动电路设计。

它采用经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，不仅便于手工焊接和原型验证，也兼容成熟的自动化生产工艺。高达500mW的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在各种应用环境下都能稳定工作，为您的高压小信号切换、负载驱动或电源管理模块提供持久可靠的核心动力。