BSS123ATC

在追求极致能效与可靠性的电子设计中，您是否曾为寻找一款体积小巧、性能稳定的高压开关解决方案而烦恼？当空间成为奢侈，性能不容妥协，BSS123ATC的出现，正是为应对此类挑战而生。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的漏源电压和170mA的连续漏极电流能力，在紧凑的SOT-23-3封装内，为您提供了令人安心的功率处理与开关控制基石。

想象一下，在您的便携式设备电源管理模块中，它能够高效地执行负载开关或电平转换任务；在工业传感器或通信模块的接口保护电路中，它凭借高达±20V的栅源电压耐受能力和宽达-55°C至150°C的工作温度范围，确保系统在严苛环境下稳定运行。无论是需要精密控制的电池供电设备，还是对空间和可靠性有双重要求的汽车电子或消费类产品辅助电路，BSS123ATC都能无缝融入，成为您设计中那个沉默而可靠的关键执行者。其低至2V的栅极阈值电压和优化的导通电阻特性，意味着您可以用更低的驱动电压实现高效开关，从而简化驱动电路设计，并有效降低整体系统的功耗。

选择BSS123ATC，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种经过市场验证的可靠性与Diodes品牌的品质保证。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和广泛的适用性，使其在特定应用和库存替换场景中依然具有极高的价值。为了确保您能获得正品货源与稳定的供应支持，我们强烈建议您通过官方授权的DIODES中国代理进行咨询与采购。让这颗经典的小型化高压开关解决方案，继续为您的创新产品注入稳定与高效的核心动力，助您在激烈的市场竞争中赢得先机。

• 型号:BSS123ATC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取BSS123ATC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高压、小电流的精密开关控制寻找一颗得心应手的“心脏”吗？BSS123ATC正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET能在高达100V的电压下，稳定处理170mA的电流，其紧凑的SOT-23-3封装让您轻松应对PCB空间极限挑战，是便携设备、传感器接口和各类辅助电源管理的理想选择。

它拥有低至2V的开启门槛和优化的动态性能，让您的驱动电路设计更简单，系统响应更迅捷。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的可靠性，确保您的产品无论在何种环境下都能稳定发挥。选择它，就是为您的设计选择了一份经过验证的高效与安心。