BS107P

在追求极致能效与可靠性的电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时保持紧凑体积的开关解决方案而困扰？今天，我们为您带来的BS107P，正是这样一颗能够完美平衡性能与尺寸的N沟道MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的关键引擎，以其高达200V的漏源电压和120mA的连续漏极电流，为您的设计注入强劲而稳定的动力。

想象一下，在那些空间受限却要求严苛的应用场景中，比如智能家居中的小型电源模块、工业控制板的信号切换单元，或是消费电子产品的精密保护电路。BS107P凭借其经典的TO-92-3通孔封装，能够轻松融入高密度PCB布局，而其宽泛的-55°C至150°C工作结温范围，确保了无论环境如何变化，它都能如同磐石般稳定运行。这颗芯片的价值，在于它用极简的物理形态，承载了复杂电路对高效开关与可靠隔离的核心需求，让您的产品在激烈的市场竞争中，拥有从内而外的坚固基石。

选择BS107P，就是选择了一份由Diodes Incorporated提供的品质承诺。其优化的驱动电压特性（2.6V至5V）意味着更低的驱动门槛和更高的能效表现，最大500mW的功率耗散能力则提供了充足的安全余量。更重要的是，当您通过值得信赖的DIODES授权代理进行采购时，您获得的不仅是正品保障和稳定的供货，更是从技术选型到售后支持的全链路专业服务。让这颗小巧而强大的MOSFET，成为您下一个成功项目中不可或缺的“高效开关艺术家”，开启稳定与效能兼备的设计新篇章。

• 型号:BS107P
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.6V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• 想获取BS107P的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高压小信号电路的开关选择而费神吗？让BS107P来为您轻松化解难题！这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，专为需要可靠高压切换的应用而生。它拥有200V的耐压和120mA的电流处理能力，能以极低的驱动电压（最低2.6V）高效导通，是您实现精密信号控制或电源管理的得力助手。

采用经典的TO-92-3封装，它让您的PCB布局更加灵活自由。其宽工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和稳定的性能，确保您的产品在各种环境下都能持久稳定运行。选择它，就是为您的设计选择了一份高效与安心的保障。