DMGD7N45SSD-13

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源管理系统是否还在为高压开关的性能与可靠性而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出DMGD7N45SSD-13，这颗专为严苛应用而生的双N沟道MOSFET阵列，将450V的高压耐受能力与卓越的开关性能，浓缩于一个微小的8-SOIC封装之中，为您的高压侧开关、电机驱动和电源转换应用带来革命性的提升。

想象一下，在汽车电子系统中，无论是LED照明驱动、电池管理系统，还是辅助泵的控制单元，都需要在极端的温度波动和电气噪声下稳定工作。DMGD7N45SSD-13正是为此而生。它符合AEC-Q101车规标准，工作温度横跨-55°C至150°C的广阔范围，确保从冰天雪地到引擎舱高温，性能始终如一。其低至4欧姆的导通电阻（RDS(on)）和仅为6.9nC的栅极电荷，意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，直接转化为更高的系统效率和更快的动态响应，让您的产品在能效和性能竞赛中脱颖而出。

选择DMGD7N45SSD-13，就是选择了一份安心与高效。它将两个高性能MOSFET集成于一体，不仅节省了宝贵的PCB空间，简化了布局布线，更通过优化的参数匹配，提升了系统的一致性与可靠性。无论是用于工业电源的PFC电路，还是消费类电器的AC-DC转换，它都能以500mA的连续电流处理能力，稳健地承担起开关重任。我们深知可靠的供应链至关重要，因此通过遍布全球的DIODES代理网络，确保您能及时、稳定地获得这颗优质芯片，让您的产品开发与生产进程畅通无阻。立即体验DMGD7N45SSD-13带来的强大动力，为您的下一个设计注入高可靠性与高能效的核心基因。

• 型号:DMGD7N45SSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:450V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 400mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:256pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.64W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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还在为高压、高可靠性应用寻找一颗“全能型”开关芯片吗？DMGD7N45SSD-13正是您期待的答案。这颗双N沟道MOSFET阵列，拥有450V的高压阻断能力和高达150°C的结温工作范围，专为汽车级（AEC-Q101）及各类严苛环境设计，让您的电源管理、电机驱动或照明系统从容应对挑战。

它集高效与紧凑于一身。低至4欧姆的导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动需求，帮助您轻松提升整体能效。其表面贴装的8-SOIC封装，让您在有限的板级空间内实现更强大的功能集成，设计更灵活，生产更高效。