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BAS40DW-06-7-F的图片

BAS40DW-06-7-F

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ARR SCHOT 40V 200MA SOT363
原厂封装:封装:SOT-363
优势价格,BAS40DW-06-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BAS40DW-06-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致能效与紧凑设计的现代电子产品中,您是否还在为信号整流和低压保护电路的选择而烦恼?传统的解决方案往往在速度、功耗和空间占用上难以兼顾。今天,我们为您带来一个集高性能与微型化于一身的完美答案BAS40DW-06-7-F。这款来自Diodes Incorporated的肖特基二极管阵列,以其仅5ns的超快反向恢复时间和低至1V@40mA的正向压降,为您的高速信号路径注入澎湃动能,同时将能量损耗降至最低,让您的产品在激烈的市场竞争中率先赢得能效优势。

想象一下,在您精心设计的便携式设备、高速数据接口或精密传感模块中,BAS40DW-06-7-F正悄然发挥着关键作用。其独特的2对共阳极配置,为电路设计提供了极高的灵活性与集成度,非常适合用于高频整流、信号钳位、极性保护以及OR-ing二极管应用。无论是智能手机中需要快速响应的RF模块,还是工控设备里要求稳定可靠的电源保护电路,它都能凭借40V的最大反向电压和200mA的整流电流,在-55°C至125°C的宽温范围内稳定工作,确保您的系统在各种严苛环境下依然坚如磐石。其SOT-363超小型封装,更是为寸土寸金的PCB布局释放了宝贵空间,让您的设计更加游刃有余。

选择BAS40DW-06-7-F,不仅仅是选择了一颗元件,更是选择了一种面向未来的设计理念。它意味着更快的信号处理速度、更低的系统发热以及更长的电池续航。其极低的反向泄漏电流(仅200nA @ 30V)确保了信号的高度纯净,让您的产品性能表现更加精准出色。当您致力于打造更小巧、更智能、更高效的新一代电子产品时,这颗芯片就是您实现设计突破的可靠伙伴。为了确保您能稳定、便捷地获得这一优质组件,我们推荐您通过值得信赖的DIODES一级代理进行采购,从而保障供应链的顺畅与产品的高品质。立即采用BAS40DW-06-7-F,让它成为您产品电路中那颗不可或缺的“高效心脏”,驱动创新,赢在未来。

  • 型号:BAS40DW-06-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
  • 描述:DIODE ARR SCHOT 40V 200MA SOT363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 二极管配置:2 对共阳极
  • 技术:肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC)
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
  • 速度:小信号 =\< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢复时间 (trr):5 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 30 V
  • 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • 想获取BAS40DW-06-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能同时提升效率、节省空间并保证可靠性的信号处理核心吗?BAS40DW-06-7-F正是为您而来的解决方案。这颗由Diodes Incorporated出品的肖特基二极管阵列,集成了两对共阳极的40V/200mA肖特基二极管,其超快的5ns反向恢复时间和低至1V的正向压降,能让您轻松实现高速整流与高效节能,显著降低系统功耗与发热。

它采用极致的SOT-363微型封装,为您的高密度电路板设计释放宝贵空间,同时其宽达-55°C至125°C的工作结温范围,确保了在各种环境下的稳定表现。无论是用于便携设备的电源管理,还是高速数据线的信号保护,BAS40DW-06-7-F都能以卓越的性能,让您的产品设计更紧凑、运行更高效、竞争力更强劲。

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