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74AUP1G00FW4-7的图片

74AUP1G00FW4-7

DIODES图标
集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:IC GATE NAND 1CH 2-INP DFN1010-6
原厂封装:封装:X2-DFN1010-6
优势价格,74AUP1G00FW4-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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74AUP1G00FW4-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致能效的物联网时代,您是否还在为逻辑控制电路的功耗和空间而烦恼?想象一下,一个微小如米粒的组件,却能以纳安级的静态电流待机,在0.8V至3.6V的宽电压范围内稳定工作,这正是74AUP1G00FW4-7为您带来的核心价值。作为Diodes Incorporated 74AUP系列中的明星单品,这颗双输入与非门逻辑芯片,以其超低功耗和微型化封装,正在重新定义便携式与电池供电设备的电路设计边界。

它的身影几乎无处不在从您手腕上智能手表的精准手势识别,到无线耳机盒内高效的电源管理;从智能家居传感器中悄无声息的信号处理,再到工业物联网模块里在严苛温度下(-40°C至125°C)的可靠逻辑判断。它不仅仅是执行一个简单的“与非”功能,更是系统实现低功耗休眠、唤醒逻辑控制、信号门控及错误检测的关键枢纽。其仅6.5ns的快速传播延迟,确保了实时响应的流畅性,让您的产品在性能和续航之间取得完美平衡。

选择这颗芯片,意味着您选择了一种面向未来的设计哲学。在元件密度越来越高的PCB上,其X2-DFN1010-6超紧凑封装为您节省了宝贵的板级空间。更重要的是,它极低的静态功耗直接转化为更长的电池寿命和更绿色的产品属性,这在消费者日益关注环保和续航的今天,无疑是巨大的竞争优势。虽然该型号已处于停产状态,但通过可靠的DIODES一级代理渠道,您依然可以获取稳定库存,为现有产品设计提供持续支持,或用于对功耗和尺寸有极致要求的特定项目。它代表了一个经典的低功耗逻辑解决方案,其设计理念至今仍极具参考价值。

  • 型号:74AUP1G00FW4-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X2-DFN1010-6
  • 类目:集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
  • 描述:IC GATE NAND 1CH 2-INP DFN1010-6
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 逻辑类型:与非门
  • 电路数:1
  • 输入数:2
  • 特性:-
  • 电压 - 供电:0.8V ~ 3.6V
  • 电流 - 静态(最大值):500 nA
  • 电流 - 输出高、低:4mA,4mA
  • 逻辑电平 - 低:0.7V ~ 0.9V
  • 逻辑电平 - 高:1.6V ~ 2V
  • 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟:6.5ns @ 3.3V,30pF
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:X2-DFN1010-6
  • 封装/外壳:6-XFDFN
  • 想获取74AUP1G00FW4-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能大幅降低系统待机功耗的逻辑控制核心吗?74AUP1G00FW4-7正是您的高效之选。这颗来自Diodes的微型双输入与非门芯片,专为电池驱动的便携设备而生,其静态电流低至惊人的500nA,能显著延长产品的续航时间。

它能在0.8V到3.6V的宽电压范围内稳定工作,轻松适配各种低压核心电路。无论是用于信号门控、电源序列控制还是简单的逻辑判断,其快速响应(传播延迟仅6.5ns)和稳定的输出驱动能力(4mA),都能让您的设计更加可靠高效。其超小的DFN1010-6封装,更是为您的紧凑型PCB布局提供了极大便利。

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