DMN80H2D0SCTI

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，工程师们是否常常面临高压、高功率密度与散热管理的多重挑战？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案DMN80H2D0SCTI。这颗来自Diodes Incorporated的高压N沟道MOSFET，以其800V的卓越耐压能力和高达7A的连续漏极电流，正重新定义中高功率应用的性能标准。它不仅是一颗半导体器件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，DMN80H2D0SCTI正稳定高效地工作着。其极低的导通电阻（典型值仅2欧姆@10V驱动）意味着更小的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。无论是工业电源、UPS不间断电源，还是新能源领域的逆变器，这颗芯片都能在严苛的电压环境下提供坚实的保护，确保系统长期稳定运行。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）让您的产品无惧严寒酷暑，适应全球各种复杂环境。

选择DMN80H2D0SCTI，就是选择了一份安心与高效。它采用成熟的TO-220AB封装，不仅散热性能优异，便于安装，更在功率耗散（高达41W）与栅极电荷（低至35.4nC）之间取得了完美平衡。这意味着它既能处理可观的功率，又能实现快速的开关速度，减少开关损耗，特别适合高频开关应用。当您需要可靠、高性能的MOSFET来构建下一代电源或驱动系统时，DMN80H2D0SCTI无疑是您的理想之选。为了确保您能便捷地获得这颗优质芯片及其全面的技术支持，我们推荐您通过官方授权的DIODES代理商进行采购，他们将为您提供从选型到供货的一站式服务。

• 制造商产品型号：DMN80H2D0SCTI
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：800V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35.4nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1253pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：41W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：ITO-220AB
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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效稳定的功率开关吗？DMN80H2D0SCTI正是为此而生！这颗800V/7A的N沟道MOSFET，凭借其优异的电气特性，让您轻松应对开关电源、电机驱动等应用的严苛需求。

它的核心价值在于高效与可靠。极低的导通电阻显著减少了功率损耗，帮助您的系统提升能效、降低发热。同时，优化的栅极电荷和电容参数确保了快速干净的开关特性，让您的设计在高频下也能游刃有余。采用坚固的TO-220AB封装，散热能力强，安装简便，是构建耐用、高性能功率电路的坚实基石。