2N7002H-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能精准控制微小电流，又能承受足够电压的可靠开关而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们向您隆重介绍2N7002H-7，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为满足现代电子设备对高效、紧凑与可靠性的严苛要求而生。它不仅仅是一个晶体管，更是您电路设计中提升性能、简化布局、确保稳定性的得力助手。

想象一下，在您的便携式设备、智能传感器模块或精密电源管理电路中，DIODES芯片代理提供的这颗小巧的SOT-23封装器件，正默默发挥着巨大作用。其60V的漏源电压和170mA的连续漏极电流能力，使其成为信号切换、负载开关、电平转换和低功耗驱动应用的理想选择。无论是唤醒一个低功耗的MCU，还是控制一个LED指示灯的明灭，亦或是在模拟与数字电路之间搭建一座可靠的桥梁，2N7002H-7都能以极低的导通电阻（仅7.5欧姆@5V驱动）和微小的栅极电荷（仅0.35nC），确保开关动作迅速、能量损耗降至最低，让您的系统运行更加“冷静”且高效。

选择2N7002H-7，就是选择了一份经得起考验的卓越品质与设计自由度。它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）意味着无论您的产品将应用于严寒的户外环境还是高温的机箱内部，它都能稳定工作，大大提升了终端产品的环境适应性和可靠性。其表面贴装设计和微小的体积，为PCB布局节省了宝贵空间，让您的产品设计可以更加纤薄、紧凑。更重要的是，在5V的标准逻辑电平下即可实现高效驱动，与当今主流的微控制器和数字电路完美兼容，让您的系统集成变得前所未有的轻松。当您需要一款性能均衡、稳定可靠且极具性价比的MOSFET解决方案时，2N7002H-7无疑是您值得信赖的伙伴，助您将创新想法快速、稳健地转化为市场领先的产品。

• 型号:2N7002H-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.35 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:26 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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您正在寻找一颗能轻松驾驭低功率开关任务的“全能型选手”吗？2N7002H-7正是为此而来。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和170mA的电流处理能力，专为高效、精准地控制小信号和低功率负载而优化。

它能让您轻松实现高速的开关动作，得益于其低至7.5欧姆的导通电阻和极小的栅极电荷，显著降低了开关损耗和驱动需求。无论是用于便携设备的电源管理、信号路径切换，还是作为GPIO口的扩展驱动，它都能确保您的系统运行更高效、更可靠。

采用紧凑的SOT-23封装，并支持-55°C至150°C的宽温工作，这颗芯片为您提供了极大的设计灵活性和环境适应性，是追求空间利用率和产品稳定性的工程师的明智之选。