DMN2400UFB-7

在追求极致能效的今天，您的便携式设备是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一颗仅如沙粒般大小、却能在1.8V低电压下高效驱动的功率开关，将如何重塑您的产品设计。DMN2400UFB-7正是为此而生，它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您实现高密度、高效率设计的秘密武器。

无论是需要超长待机的TWS耳机、智能手表，还是对功耗极其敏感的物联网传感器节点，这颗芯片都能完美融入。其20V的漏源电压和750mA的连续漏极电流，为小型锂电设备的电源管理和负载开关提供了坚实保障。更令人惊喜的是，它在4.5V驱动电压下，导通电阻低至550毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接延长了设备的续航时间，并简化了散热设计。其微小的3-X1DFN1006封装，几乎不占用宝贵的PCB空间，让您的产品可以做得更轻薄、更紧凑。

选择DMN2400UFB-7，就是选择了一种可靠且面向未来的解决方案。它能在-55°C到150°C的严苛结温范围内稳定工作，确保了产品在各种环境下的可靠性。极低的栅极电荷（仅0.5nC）和输入电容（36pF），带来了极快的开关速度，显著提升了系统的动态响应效率。如果您正在寻找一个能同时满足高性能、小尺寸和低功耗要求的MOSFET，那么它无疑是您的理想之选。要获取这颗性能出众的芯片，您可以咨询专业的DIODES代理商，他们能为您提供完善的技术支持和供应链服务，助您的新品快速成功上市。

• 型号:DMN2400UFB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):750mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 600mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:36 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:470mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
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还在为便携设备中笨重的功率开关而烦恼吗？DMN2400UFB-7将彻底改变您的看法。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有20V耐压和750mA的电流能力，专为空间受限的现代电子产品打造。

它的核心魅力在于高效与小巧的完美结合。仅需1.8V的低电压即可高效驱动，并在4.5V时实现仅550毫欧的低导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的设备续航更持久。同时，其微型的3DFN封装让您能轻松实现高密度的电路板布局，为产品设计释放更多创意空间。

无论是用于电源路径管理、负载开关还是信号切换，DMN2400UFB-7都能以出色的性能和可靠性，让您的设计更精简、运行更高效，是提升终端产品竞争力的明智之选。