2N7002-7-F

在追求极致能效与可靠性的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能精准控制微小电流，又能承受较高电压的开关解决方案而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们隆重介绍2N7002-7-F，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为满足现代电子设备对高效、紧凑与稳定性的严苛要求而生。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品性能、简化电路设计的得力助手。

想象一下，在您的便携式设备、智能传感器模块或精密电源管理电路中，需要快速、安静地切换信号或电源路径。2N7002-7-F凭借其60V的漏源电压和115mA的连续漏极电流能力，能够轻松应对此类任务，确保信号完整性与系统安全。其低至7.5欧姆的导通电阻（在5V驱动下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了整机能效，让您的产品在续航和温控表现上脱颖而出。无论是用于电平转换、负载开关，还是作为模拟开关的一部分，它都能以卓越的电气性能，为您的设计注入强大动力。

选择2N7002-7-F，就是选择了一份经得起考验的可靠性。它采用经典的SOT-23-3表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，大幅降低您的制造成本。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种恶劣环境下都能稳定工作，从炎热的汽车电子舱到寒冷的户外监测设备，它都是值得信赖的核心元件。当您需要稳定可靠的货源与技术支持时，遍布全球的DIODES代理商网络随时准备为您服务，确保您的供应链顺畅无阻。让2N7002-7-F成为您下一个成功产品的坚实基石，开启高效、可靠设计的新篇章。

• 型号:2N7002-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取2N7002-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能完美胜任低功率开关任务的“核心开关”吗？2N7002-7-F正是这样一款为您量身打造的解决方案。它是一款N沟道MOSFET，能够轻松处理高达60V的电压和115mA的电流，让您在各种低压控制、信号切换和负载管理应用中游刃有余。

这颗芯片的核心价值在于其高效与易用性。仅需5V或10V的驱动电压，它就能实现极低的导通电阻，显著减少功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。其微小的SOT-23-3封装，让您能在紧凑的电路板上实现高密度设计，同时宽温域特性确保了从工业到消费电子各类场景下的稳定表现。选择它，就是选择了一种让设计更简单、产品更可靠的智慧。