DMN3061SVT-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为空间与性能的平衡而苦恼？想象一下，一个微小的封装内，蕴藏着驱动高效未来的双重动力核心这正是DMN3061SVT-13为您带来的变革性体验。它不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升产品竞争力、简化设计流程的得力伙伴。

这款来自Diodes Incorporated的双N通道MOSFET阵列，以其卓越的电气性能重新定义了小型化功率器件的标准。高达30V的漏源电压和3.4A的连续漏极电流，为您的设计提供了坚实的动力保障。而其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动下仅60毫欧，这意味着更少的能量损耗转化为热量，更多的电能被高效利用，直接为您带来更长的设备运行时间、更低的温升以及更稳定的系统表现。无论是应对快速开关的负载点转换，还是处理精密的信号切换，它都能游刃有余。

将视野投向广阔的应用场景，您会发现它的身影无处不在。在便携式消费电子中，它是延长电池续航、实现快速充电管理的隐形功臣；在工业自动化模块里，它可靠地驱动着小电机、继电器或LED阵列，确保生产线的精准与高效；即便在空间极其苛刻的物联网传感器节点或可穿戴设备中，其TSOT-26超薄封装也能轻松融入，为微型化设计扫清障碍。选择它，就是选择了一种兼顾高性能与高集成度的解决方案，让您的产品在市场中脱颖而出。

为何众多工程师将DMN3061SVT-13作为首选？答案在于其无与伦比的综合价值。它不仅在电气参数上表现出色，更拥有宽达-55°C至150°C的工作结温范围，适应从严寒到酷热的严苛环境，可靠性经得起考验。极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，进一步提升整体系统效率。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，通过正规的DIODES授权代理进行采购，无疑是保障项目顺利推进、获得正品芯片与专业服务的最佳途径。这不仅仅是一次元器件选型，更是一次为产品注入高效、可靠灵魂的战略决策。

• 型号:DMN3061SVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.6nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:278pF @ 15V
• 功率 - 最大值:880mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
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还在寻找一颗能同时搞定空间限制与性能要求的功率开关吗？DMN3061SVT-13正是为您而来的解决方案。这颗双N通道MOSFET阵列，将两个高性能开关集成于微小的TSOT-26封装内，让您轻松实现高密度板级设计，同时毫不妥协于性能。

它拥有30V的耐压和3.4A的持续电流能力，配合低至60毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗，提升系统整体能效。无论是用于负载开关、电机驱动，还是DC-DC转换器中的同步整流，它都能让您的设备运行更凉爽、更持久。其优异的开关特性（低栅极电荷）和宽广的工作温度范围，更确保了在各种应用环境下的稳定与可靠。