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2DB1132Q-13

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:TRANS PNP 32V 1A SOT-89-3
原厂封装:封装:SOT-89-3
优势价格,2DB1132Q-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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2DB1132Q-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致能效的电子设计领域,您是否还在为寻找一款兼具高可靠性、出色性能与成本优势的PNP功率开关而烦恼?今天,我们为您带来一个令人振奋的解决方案2DB1132Q-13。这颗来自Diodes Incorporated的明星晶体管,以其高达1A的集电极电流和32V的集射极击穿电压,为您的电源管理、电机驱动和负载开关应用注入强劲动力。它不仅仅是一个元件,更是您提升产品竞争力、实现设计目标的关键伙伴。

想象一下,在紧凑的智能家居控制器中,需要一颗晶体管来高效驱动继电器或小型电机;在便携式设备的电源路径管理中,要求开关元件具备低饱和压降以减少功耗;在工业传感器的信号调理电路中,器件需要在宽温范围内稳定工作。2DB1132Q-13正是为这些场景而生。其500mV的低Vce饱和压降(在50mA, 500mA条件下)意味着更少的能量以热量形式浪费,直接提升了系统的整体效率。高达190MHz的跃迁频率,使其在需要快速开关响应的场合游刃有余,无论是高速脉冲控制还是信号调制,都能精准跟随。而-55°C至150°C的宽广工作结温范围,则赋予了它应对严苛环境挑战的坚韧品质,确保您的设备从炎炎夏日到凛冽寒冬都能稳定运行。

选择2DB1132Q-13,就是选择了一份安心与高效。其高达120的最小直流电流增益(在100mA, 3V条件下),意味着您可以用更小的基极驱动电流控制更大的负载,简化了驱动电路设计。表面贴装的SOT-89-3(TO-243AA)封装,不仅节省了宝贵的PCB空间,更适合自动化生产,助力您加速产品上市进程。更重要的是,通过与值得信赖的DIODES一级代理合作,您不仅能获得稳定可靠的货源和具有竞争力的价格,还能得到专业的技术支持与供应链保障,让您的项目全程无忧。让2DB1132Q-13成为您下一个成功设计的基石,释放创新潜能,打造更节能、更可靠、更具市场吸引力的电子产品。

  • 型号:2DB1132Q-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-89-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS PNP 32V 1A SOT-89-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):32 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V
  • 功率 - 最大值:1 W
  • 频率 - 跃迁:190MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-243AA
  • 供应商器件封装:SOT-89-3
  • 想获取2DB1132Q-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能扛起功率开关重任、同时保持电路简洁高效的PNP晶体管吗?2DB1132Q-13正是您的理想之选。这颗1A, 32V的晶体管,凭借其低至500mV的饱和压降,能显著降低开关状态下的功耗,让您的设计更节能;高达120的电流增益则让驱动变得异常轻松,简化您的电路布局。

它采用紧凑的SOT-89-3表面贴装封装,为您节省宝贵的电路板空间,并兼容自动化贴装,提升生产效率。其坚固的设计支持-55°C到150°C的极端工作温度,确保在各种环境下都能稳定可靠地工作。无论是用于电源管理、电机控制还是信号切换,2DB1132Q-13都能以卓越的性能和可靠性,助您高效实现设计目标。

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