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DXTP58100CFDB-7的图片

DXTP58100CFDB-7

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:TRANS PNP 100V 2A UDFN2020-3
原厂封装:封装:U-DFN2020-3(B 类)
优势价格,DXTP58100CFDB-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DXTP58100CFDB-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致能效的电子设计领域,您是否还在为功率损耗和空间占用而烦恼?想象一下,一个仅U-DFN2020封装大小的器件,却能承载2A电流、耐受100V电压,并将饱和压降控制在惊人的185mV以下这不仅仅是参数,这是DXTP58100CFDB-7为您带来的现实突破。作为Diodes Incorporated精心打造的低饱和压降功率晶体管,它重新定义了小型化功率管理的可能性,让您的产品在性能与体积的博弈中轻松胜出。

这颗芯片的价值,在那些对效率与可靠性有着严苛要求的场景中体现得淋漓尽致。无论是需要精密电源管理的便携式医疗设备,还是空间紧凑但功率需求不低的智能家居模块,亦或是车载电子中那些必须稳定工作的辅助电源电路,DXTP58100CFDB-7都能成为其中沉默而强大的核心。其低至185mV的Vce饱和压降意味着更少的能量以热量的形式浪费,直接转化为更长的设备续航和更低的系统温升;高达135MHz的跃迁频率,则让它能从容应对开关电源等需要快速响应的应用,确保系统动态性能丝滑流畅。选择它,就是为您的设计注入一颗高效而强健的“心脏”。

那么,为何众多工程师将DXTP58100CFDB-7视为优选?答案在于它卓越的综合性能与可靠性。在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作,确保了产品能适应从严寒到酷热的各类环境挑战。高达160的直流电流增益,意味着它可以用更小的基极驱动电流控制更大的集电极电流,简化驱动电路设计。690mW的最大功耗与紧凑的3-UDFN封装相结合,完美解决了高功率密度设计的空间难题。当您寻求稳定可靠的货源与技术支持时,通过官方授权的DIODES一级代理进行采购,无疑是保障项目顺利推进、获得正品与原厂支持的最明智选择。让DXTP58100CFDB-7成为您下一个成功产品的秘密武器,开启高效、可靠、紧凑的电源管理新篇章。

  • 型号:DXTP58100CFDB-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:U-DFN2020-3(B 类)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS PNP 100V 2A UDFN2020-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):100 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):185mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100nA
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):160 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大值:690 mW
  • 频率 - 跃迁:135MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:3-UDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:U-DFN2020-3(B 类)
  • 想获取DXTP58100CFDB-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗既能节省宝贵电路板空间,又能提供强劲、高效功率开关能力的晶体管吗?DXTP58100CFDB-7正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的PNP型低饱和压降晶体管,集2A大电流、100V高耐压和超低185mV饱和压降于一身,封装却仅有微小的U-DFN2020,让您轻松实现高功率密度设计。

它的核心使命是让您的系统运行更高效、更凉爽。极低的Vce(sat)显著减少了开关状态下的导通损耗,直接将更多电能用于驱动负载,而非转化为无用热量。同时,高达135MHz的跃迁频率确保了快速的开关响应,非常适合需要高效率的DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等应用。选择它,就是选择了一种让设计更简洁、性能更出众的可靠路径。

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