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1N4935G-T的图片

1N4935G-T

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE STANDARD 200V 1A DO41
原厂封装:封装:DO-41
优势价格,1N4935G-T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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1N4935G-T的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致效率的电子设计领域,您是否还在为整流电路的性能瓶颈和可靠性问题而烦恼?今天,我们为您带来一个经过市场长期验证的卓越解决方案1N4935G-T。这颗来自Diodes Incorporated的通用整流二极管,以其200V的反向耐压和1A的平均整流电流,为您的电源转换、信号调理等关键环节提供了坚实而高效的保障。它不仅仅是一个元件,更是您产品稳定运行的基石,是提升整体系统能效和可靠性的秘密武器。

想象一下,在开关电源的初级侧,或者在各种家用电器、工业设备的低压整流电路中,1N4935G-T正以其快速的恢复速度(反向恢复时间仅200ns)默默工作。它能有效抑制反向恢复电流带来的尖峰和损耗,让您的电源设计更安静、更凉爽、效率更高。无论是应对频繁的开关动作,还是处理持续的电流负载,它都能游刃有余,确保能量转换的平滑与精准。选择它,意味着您为产品选择了一份经久耐用的承诺,其轴向DO-41封装不仅便于安装,更以其经典结构确保了出色的散热和机械稳定性。

那么,在众多二极管中,为何独独青睐这颗芯片?答案在于其卓越的综合价值。它完美平衡了性能、可靠性与成本。1.2V@1A的低正向压降意味着更少的导通损耗,直接转化为更高的能效和更长的电池续航;而高达200V的耐压和极低的反向泄漏电流(仅5A @ 200V),则为您的电路提供了宽裕的安全余量和更低的静态功耗。对于寻求稳定供应链和高质量元件的工程师而言,通过值得信赖的DIODES芯片代理进行采购,不仅能确保获得原装正品,还能获得专业的技术支持和快速的交付服务,让您的项目从设计到量产一路畅通无阻。让1N4935G-T成为您下一个成功设计的可靠伙伴,共同开启高效、稳健的电子新篇章。

  • 型号:1N4935G-T
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:DO-41
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE STANDARD 200V 1A DO41
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 1 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):200 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 200 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
  • 供应商器件封装:DO-41
  • 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
  • 想获取1N4935G-T的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能扛起整流重任、性能稳定又经济实惠的核心元件吗?1N4935G-T正是为您而来!这颗通用整流二极管能轻松处理高达1A的平均电流,并从容应对200V的反向电压,为您的基础电源转换和信号整流应用提供高效、可靠的解决方案。

它的核心价值在于“快速”与“高效”。其快速恢复特性(trr仅200ns)能显著减少开关损耗,让您的电源设计运行更凉爽、效率更高。同时,1.2V@1A的低正向压降意味着更少的能量浪费,直接帮助您提升终端产品的整体能效。采用经典的DO-41轴向封装,让您能够轻松进行通孔安装,并享有出色的散热性能与机械稳固性。

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