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ZXMN3AMCTA技术资料
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ZXMN3AMCTA
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
DIODES(美台)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN
原厂封装:
8-VDFN
优势价格,ZXMN3AMCTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
ZXMN3AMCTA的技术资料下载
ZXMN3AMCTA的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
制造商产品型号:ZXMN3AMCTA
制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
描述:MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:Automotive, AEC-Q101
零件状态:有源
FET类型:2 N-通道(双)
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):3.7A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):120 毫欧 @ 2.5A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):2.3nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):190pF @ 25V
功率-最大值:1.7W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-VDFN
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