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ZXMN3A04DN8TC的图片

ZXMN3A04DN8TC

DIODES图标
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：DIODES(美台)
功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
原厂封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
优势价格，ZXMN3A04DN8TC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ZXMN3A04DN8TC的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • 制造商产品型号：ZXMN3A04DN8TC
  • 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：6.5A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 12.6A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A（最小）
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：36.8nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1890pF @ 15V
  • 功率-最大值：1.81W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 想获取ZXMN3A04DN8TC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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