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ZXMN2A04DN8TC
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ZXMN2A04DN8TC价格
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ZXMN2A04DN8TC技术资料
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ZXMN2A04DN8TC
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
DIODES(美台)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
原厂封装:
8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
优势价格,ZXMN2A04DN8TC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
ZXMN2A04DN8TC的技术资料下载
ZXMN2A04DN8TC的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
制造商产品型号:ZXMN2A04DN8TC
制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:-
零件状态:停产
FET类型:2 N-通道(双)
FET功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):20V
25°C时电流-连续漏极(Id):5.9A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):25 毫欧 @ 5.9A,4.5V
不同Id时Vgs(th)(最大值):700mV @ 250A(最小)
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):22.1nC @ 5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1880pF @ 10V
功率-最大值:1.8W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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