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ZXMN10A11GTC的图片

ZXMN10A11GTC

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：DIODES(美台)

功能简述：MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

原厂封装：SOT-223

优势价格，ZXMN10A11GTC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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ZXMN10A11GTC的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

制造商产品型号：ZXMN10A11GTC

制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）

描述：MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

25°C时电流-连续漏极(Id)：1.7A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：350 毫欧 @ 2.6A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.4nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：274pF @ 50V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：SOT-223

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