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ZXMN10A08G的图片

ZXMN10A08G

DIODES图标
单端场效应管
制造厂商：DIODES(美台)
功能简述：MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
原厂封装：SOT-223
优势价格，ZXMN10A08G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
ZXMN10A08G的技术资料下载
电话询问价格
ZXMN10A08G的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • Diodes公司完整型号：ZXMN10A08G
  • 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：250 毫欧 @ 3.2A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.7nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：405pF @ 50V
  • 功率 - 最大值：2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商器件封装：SOT-223
  • 想获取ZXMN10A08G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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