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ZXMN10A08G
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ZXMN10A08G价格
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ZXMN10A08G技术资料
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ZXMN10A08G
单端场效应管
制造厂商：
DIODES(美台)
功能简述：
MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
原厂封装：
SOT-223
优势价格，ZXMN10A08G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
ZXMN10A08G的技术资料下载
ZXMN10A08G的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
Diodes公司完整型号：ZXMN10A08G
制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
描述：MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：250 毫欧 @ 3.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：405pF @ 50V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223
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