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ZXMN10A08DN8TC
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ZXMN10A08DN8TC价格
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ZXMN10A08DN8TC技术资料
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ZXMN10A08DN8TC
场效应管阵列
制造厂商：
Diodes
功能简述：
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC
原厂封装：
8-SOP
优势价格，ZXMN10A08DN8TC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
ZXMN10A08DN8TC的技术资料下载
ZXMN10A08DN8TC的功能参数资料 - Diodes提供
Diodes公司标准型号：ZXMN10A08DN8TC
制造厂家名称：Diodes Incorporated
描述：MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC
系列：-
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.6A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：250 毫欧 @ 3.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA（最小）
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：405pF @ 50V
功率 - 最大值：1.25W
安装类型：表面贴装
封装形式：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
Diodes器件封装：8-SOP
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