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ZXMHN6A07T8TA的图片

ZXMHN6A07T8TA

Diodes图标
场效应管阵列
制造厂商:Diodes
功能简述:MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
原厂封装:SM8
优势价格,ZXMHN6A07T8TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ZXMHN6A07T8TA的功能参数资料 - Diodes提供
  • Diodes公司标准型号:ZXMHN6A07T8TA
  • 制造厂家名称:Diodes Incorporated
  • 描述:MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
  • 系列:-
  • FET 类型:4 个 N 通道(H 桥)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.4A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):300 毫欧 @ 1.8A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.2nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):166pF @ 40V
  • 功率 - 最大值:1.6W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装形式:SOT-223-8
  • Diodes器件封装:SM8
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