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ZXMC6A09DN8TA的图片

ZXMC6A09DN8TA

DIODES图标
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：DIODES(美台)
功能简述：MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
原厂封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
优势价格，ZXMC6A09DN8TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ZXMC6A09DN8TA的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • 制造商产品型号：ZXMC6A09DN8TA
  • 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
  • 描述：MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 和 P 沟道
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.9A，3.7A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：45 毫欧 @ 8.2A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A（最小）
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24.2nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1407pF @ 40V
  • 功率-最大值：1.8W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 想获取ZXMC6A09DN8TA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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