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DIODES
ZXMC3F31DN8TA的图片

ZXMC3F31DN8TA

DIODES图标
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
原厂封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
优势价格,ZXMC3F31DN8TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ZXMC3F31DN8TA的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • 制造商产品型号:ZXMC3F31DN8TA
  • 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
  • 描述:MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 和 P 沟道
  • FET功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):6.8A,4.9A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 7A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):12.9nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):608pF @ 15V
  • 功率-最大值:1.8W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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