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ZXM66P02N8TC的图片

ZXM66P02N8TC

单端场效应管

制造厂商：Diodes

功能简述：MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC

原厂封装：8-SOP

优势价格，ZXM66P02N8TC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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ZXM66P02N8TC的功能参数资料 - Diodes提供

Diodes公司标准型号：ZXM66P02N8TC

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6.4A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：25 毫欧 @ 3.2A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：43.3nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2068pF @ 15V

功率 - 最大值：1.56W

安装类型：表面贴装

封装形式：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

Diodes器件封装：8-SOP

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