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ZXM62P03GTA的图片

ZXM62P03GTA

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：DIODES(美台)

功能简述：MOSFET P-CH 30V 2.9A/4A SOT223

原厂封装：SOT-223

优势价格，ZXM62P03GTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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ZXM62P03GTA的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

制造商产品型号：ZXM62P03GTA

制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）

描述：MOSFET P-CH 30V 2.9A/4A SOT223

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：2.9A（Ta），4A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：150 毫欧 @ 1.6A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10.2nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：330pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：SOT-223

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