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DIODES
ZVNL110GTA的图片

ZVNL110GTA

DIODES图标
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
原厂封装:SOT-223
优势价格,ZVNL110GTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ZVNL110GTA的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • 制造商产品型号:ZVNL110GTA
  • 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):600mA(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3 欧姆 @ 500mA,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):75pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.1W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:SOT-223
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