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MMBTH10Q-7-F的图片

MMBTH10Q-7-F

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

制造厂商：DIODES(美台)

功能简述：RF TRANSISTOR SOT23

原厂封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

优势价格，MMBTH10Q-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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MMBTH10Q-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

制造商产品型号：MMBTH10Q-7-F

制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）

描述：RF TRANSISTOR SOT23

系列：晶体管 - 双极（BJT）- 射频

零件状态：有源

晶体管类型：NPN

电压-集射极击穿（最大值）：25V

频率-跃迁：650MHz

噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-

增益：-

功率-最大值：310mW

不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：60 @ 4mA，10V

电流-集电极(Ic)（最大值）：50mA

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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