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MMBTH10-7-F
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MMBTH10-7-F技术资料
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MMBTH10-7-F
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
制造厂商:
DIODES(美台)
功能简述:
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
原厂封装:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
优势价格,MMBTH10-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MMBTH10-7-F的技术资料下载
MMBTH10-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
制造商产品型号:MMBTH10-7-F
制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
系列:晶体管 - 双极(BJT)- 射频
零件状态:有源
晶体管类型:NPN
电压-集射极击穿(最大值):25V
频率-跃迁:650MHz
噪声系数(dB,不同f时的典型值):-
增益:-
功率-最大值:300mW
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):60 @ 4mA,10V
电流-集电极(Ic)(最大值):50mA
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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