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HTMN5130SSD-13的图片

HTMN5130SSD-13

场效应管阵列

制造厂商：Diodes

功能简述：MOSFET 2P-CH 55V 2.6A 8-SOIC

原厂封装：8-SO

优势价格，HTMN5130SSD-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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HTMN5130SSD-13的功能参数资料 - Diodes提供

Diodes公司标准型号：HTMN5130SSD-13

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2P-CH 55V 2.6A 8-SOIC

系列：-

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：55V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.6A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：130 毫欧 @ 3A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8.9nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：218.7pF @ 25V

功率 - 最大值：1.7W

安装类型：表面贴装

封装形式：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

Diodes器件封装：8-SO

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