HBDM60V600W-7

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

制造厂商：DIODES(美台)

功能简述：TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363

原厂封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

优势价格，HBDM60V600W-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

HBDM60V600W-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

制造商产品型号：HBDM60V600W-7

制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）

描述：TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363

系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

零件状态：有源

晶体管类型：NPN，PNP

电流-集电极(Ic)（最大值）：500mA，600mA

电压-集射极击穿（最大值）：65V，60V

不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：400mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 50mA，500mA

电流-集电极截止（最大值）：100nA

不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：100 @ 100mA，1V / 100 @ 150mA，10V

功率-最大值：200mW

频率-跃迁：100MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

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