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EMF21-7
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EMF21-7技术资料
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EMF21-7
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
制造厂商:
DIODES(美台)
功能简述:
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
原厂封装:
SOT-563,SOT-666
优势价格,EMF21-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
EMF21-7的技术资料下载
EMF21-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
制造商产品型号:EMF21-7
制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
系列:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
零件状态:有源
晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
电流-集电极(Ic)(最大值):100mA,500mA
电压-集射极击穿(最大值):50V,12V
电阻器-基极(R1):10 千欧
电阻器-发射极(R2):10 千欧
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V / 270 @ 10mA,2V
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值):300mV @ 500A,10mA / 250mV @ 10mA,200mA
电流-集电极截止(最大值):500nA
频率-跃迁:250MHz,280MHz
功率-最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装:SOT-563,SOT-666
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