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DXTN3C60PSQ-13的图片

DXTN3C60PSQ-13

DIODES图标
晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
制造厂商：DIODES(美台)
功能简述：PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
原厂封装：8-PowerTDFN
优势价格，DXTN3C60PSQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DXTN3C60PSQ-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • 制造商产品型号：DXTN3C60PSQ-13
  • 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
  • 描述：PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
  • 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态：有源
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：3A
  • 电压-集射极击穿（最大值）：60V
  • 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）：270mV @ 300mA，3A
  • 电流-集电极截止（最大值）：100nA
  • 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：200 @ 500mA，2V
  • 功率-最大值：5W
  • 频率-跃迁：140MHz
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-PowerTDFN
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