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DMTH6004LPSQ-13的图片

DMTH6004LPSQ-13

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：DIODES(美台)

功能简述：MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

原厂封装：PowerDI5060-8

优势价格，DMTH6004LPSQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMTH6004LPSQ-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

制造商产品型号：DMTH6004LPSQ-13

制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）

描述：MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：Automotive, AEC-Q101

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.1 毫欧 @ 25A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：47.4nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4515pF @ 30V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2.6W（Ta），138W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：PowerDI5060-8

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