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DMT6010SCT
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DMT6010SCT技术资料
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DMT6010SCT
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
DIODES(美台)
功能简述:
MOSFET N-CH 60V 98A TO220-3
原厂封装:
TO-220-3
优势价格,DMT6010SCT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMT6010SCT的技术资料下载
DMT6010SCT的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
制造商产品型号:DMT6010SCT
制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
描述:MOSFET N-CH 60V 98A TO220-3
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
25°C时电流-连续漏极(Id):98A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):7.2 毫欧 @ 20A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):36.3nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1940pF @ 30V
FET功能:-
功率耗散(最大值):2.3W(Ta),104W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:TO-220-3
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