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DMT47M2LDVQ-13的图片

DMT47M2LDVQ-13

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造厂商：DIODES(美台)

功能简述：MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

原厂封装：8-PowerVDFN

优势价格，DMT47M2LDVQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMT47M2LDVQ-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

制造商产品型号：DMT47M2LDVQ-13

制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）

描述：MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：Automotive, AEC-Q101

零件状态：有源

FET类型：2 N-通道（双）

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：40V

25°C时电流-连续漏极(Id)：11.9A（Ta），30.2A（Tc）

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10.8 毫欧 @ 20A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：891pF @ 20V

功率-最大值：2.34W（Ta），14.8W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-PowerVDFN

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