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DMT3011LDT-7
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DMT3011LDT-7价格
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DMT3011LDT-7技术资料
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DMT3011LDT-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
DIODES(美台)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
原厂封装:
8-VDFN
优势价格,DMT3011LDT-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMT3011LDT-7的技术资料下载
DMT3011LDT-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
制造商产品型号:DMT3011LDT-7
制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:2 N 沟道(双)非对称型
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):8A,10.7A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):20 毫欧 @ 6A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):13.2nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):641pF @ 15V
功率-最大值:1.9W
工作温度:-55°C ~ 155°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-VDFN
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